SunSirs: Silikon Karbide'nin Yüksek Hızlı Büyümesi: Güç Penetration Boost ve AI + AR Çift Sürücü ile Önceleniyor

Minmetals Securities, geçtiğimiz günlerde elektronik endüstrisinin derinlemesine bir analizini yayınladı: Yeni enerji alanında, silikon karbür (SiC), verimli enerji tasarrufu elde etmek için temel cihazdır. 2030 yılına kadar, "yeni enerji aracı + şarj yığını + fotovoltaik ve depolama" sektöründeki SiC altyapılara (6 inç eşdeğeri, aksi belirtilmedikçe) küresel talebin yaklaşık 5.77 milyon parça olacağını ve% 36.7 CAGR 'nin olacağını bekliyoruz. Yeni enerji araç sektöründe, 800V yüksek voltajlı platform 2025 yılına kadar% 11,17 nüfuz oranı ile kademeli olarak popüler hale geliyor. SiC MOSFET, ana sürücü invertörü ve DC-DC dönüştürücü gibi çekirdek bileşenlere uygulanır ve tüm aracın enerji tüketimini% 8-10 oranında azaltabilir.

Aşağıda araştırma kağıtının bir özetidir:

Silikon karbür (SiC), teknoloji yükseltmelerini ve verimlilik devrimlerini sürüklemek için anahtar bir destek haline gelmiştir.Üçüncü nesil geniş bant boşluğu yarı iletkenin çekirdek malzemesi olarak, büyük bir bant boşluğu, yüksek bozulma elektrik alanı, mükemmel termal iletkenlik ve hızlı elektronik doygunluk sürüklenme hızı ile karakterize edilir. Yeni enerji, AI, iletişim ve AR olmak üzere dört yüksek büyüyen endüstriyi tam olarak nüfuz ediyor. Uygulama senaryoları, güç cihazlarından ısı dağılımı malzemelerine, optik altyapılara ve diğer alanlara kadar uzanır ve talep patlayıcı bir şekilde artmaktadır. Endüstri, hızlı bir gelişme dönemine girmek üzere.

Yeni enerji alanında, SiC, verimli enerji tasarrufu elde etmek için çekirdek cihazdır. 2030 yılına kadar, "yeni enerji aracı + şarj yığını + fotovoltaik depolama " daki SiC altyapılara (6 inç eşdeğeri, aksi belirtilmedikçe) küresel talebin yaklaşık 5.77 milyon parça olacağını ve% 36.7 ' lik bir CAGR ' ine sahip olacağını bekliyoruz. Yeni enerji araçları alanında, 800V yüksek voltajlı platform kademeli olarak popüler hale geliyor ve penetrasyon oranı 2025 yılına kadar% 11,17'e ulaştı. SiC MOSFET, ana sürücü invertörü ve DC-DC dönüştürücü gibi çekirdek bileşenlere uygulanır ve tüm aracın enerji tüketimini% 8-10 oranında azaltabilir. Hesaplamamız, yeni enerji araçları alanındaki SiC altyapılara yönelik küresel talebin 2030 yılında 4,32 milyon parçaya ulaşacağını ve Çin'in 3,28 milyon parçaya ihtiyacı olacağını gösteriyor. Yüksek voltajlı DC şarj pilleri açısından, politika promosyonu kapsamında 1 milyon yüksek güçlü şarj pilinin inşası 2027 yılına kadar tamamlanacak ve yüksek voltajlı direnci özellikleri ile SiC, standartları karşılamanın anahtarı haline geldi. SiC altyapılara yönelik küresel talep 2030 yılında 510.000 parça olacak ve Çin 'in 290.000 parça ihtiyacı olacak. Fotovoltaik ve depolama alanında, SiC fotovoltaik invertörlerin ve enerji depolama dönüştürücülerinin verimliliğini artıracak. SiC altyapılara yönelik küresel talep 2030 yılında 9,4 milyon parça olacak ve Çin'in 3 milyon parça ihtiyacı olacak.

AI endüstrisinde, SiC "güç + ısı dağılımı " ikili büyüme fırsatı ile karşı karşıya. Veri merkezleri açısından, bilgi işlem gücünün iyileştirilmesi dolapların güç yoğunluğunda bir artışa yol açtı. SiC, UPS, HVDC, SST ve diğer güç ekipmanlarına uygulanır. 2030 yılına kadar küresel enerji endüstrisinin 7.3 milyon substrat talebi olacak ve Çin ' in de 2 milyon substrat talebi olacak. Aynı zamanda, SiC, GPU 'nun yüksek ısı üretimi sorununu çözmek için gelişmiş bir ambalaj ısı dağılım malzemesi olarak kullanılır. 2030 yılına kadar, AI çiplerinin ara katmanları için küresel altyapı talebi yaklaşık 62 milyon parça ve Çin'in talebi 17.3 milyon parça; CoWoS sürecinin mevcut teknoloji yolunda substrat ve ısı damgası malzemesi olarak SiC kullanılırsa, AI çip ısı dağılımı alanındaki altyapı alanı 2 kat artacaktır.

İletişim radyo frekansı alanında, 5G-A ve 6G, radyo frekansı cihazlarının yükseltilmesini teşvik eder ve GaN-on-SiC şeması mükemmel ısı dağılımı ve yüksek frekans performansı ile ana akım haline geldi. 2030'da radyo frekansı için yarı yalıtıcı SiC altyapılara yönelik küresel talep 170.000 parçaya ulaşacak ve Çin yaklaşık 100.000 parça,% 60'ı oluşturur.

2030 yılında küresel AR gözlük altyapı talebi 3,89 milyon parça ve Çin 'in talebi 1,37 milyon parça. AR endüstrisinde, SiC'nin yüksek kırılma endeksi özellikleri, görüş alanını genişletebilen ve gökkuşağı desen sorununu çözebilen ışık dalga kılavuz plakaları için ideal bir substrat yapar.

Başlık, AR gözlüklerinin minyatürleştirilmesini ve tam renklendirilmesini teşvik ediyor.

Talep tarafındaki kapsamlı salgın, endüstri ölçeğinin hızla genişlemesini teşvik etti ve SiC altyapılarının arz ve talebinin 2027 yılında sıkı bir denge içinde olması bekleniyor ve sıkı bir kapasite arzı olasılığı bile var; 2030 yılına kadar, substrate için küresel talep 167,6 milyon parçaya ulaşacak, 2025 yılında arz ile karşılaştırıldığında, yaklaşık 120 milyon parça kapasite açığı olacaktır. Bunlar arasında, AI ara katmanı, yeni enerji araçları, AR gözlükleri üç temel büyüme noktasıdır ve 2030'da talep oranının% 37,% 26,% 23 olacağını bekliyoruz; Bunlar arasında, AI çiplerinde gelişmiş ambalaj ısı dağılım malzemelerinin uygulanmasında SiC, eğer "substrat katmanı", "orta katman" ve "ısı damgası" üç bağlantısında sanayileşme elde edebilirse, 2030E 'de SiC altyapılara yönelik küresel talebin yaklaşık 300 milyon parçaya ulaşması bekleniyor.

Risk uyarısı:

1.Çin-ABD ticaret sürtünmesinin yoğunlaşması ve daha fazla tedarik zinciri kısıtlamaları riski; 2. Düşen talep beklenmedik şekilde yapılmıyor; 3.Ürün araştırma ve geliştirme, teknoloji tekrarlaması ve pazar ilerlemesi, gelişmiş ambalaj için ısı dağılım malzemesi olarak SiC gibi beklenmedik şekilde değildir, yani aracılar, substratlar ve ısı lavabosları, üç yönü hala araştırma ve geliştirme aşamasındadır ve teknoloji yolu henüz tam olarak belirlenmemiş, yüksek riskle; 4. Endüstri rekabetin yoğunlaşması.

Herhangi bir sorunuz veya satın alma ihtiyaçlarınız varsa, lütfen SunSirs ile iletişime geçmekten çekinmeyin support@sunsirs.com.