SunSirs: Tăng trưởng tốc độ cao của Silicon Carbide: Trước đó là Power Penetration Boost & AI + AR Dual Drive

Chứng khoán Minmetals gần đây đã công bố một phân tích chuyên sâu về ngành công nghiệp điện tử: Trong lĩnh vực năng lượng mới, silicon carbide (SiC) là thiết bị cốt lõi để đạt được tiết kiệm năng lượng hiệu quả. Chúng tôi hy vọng rằng đến năm 2030, nhu cầu toàn cầu đối với chất nền SiC (tương đương 6 inch, trừ khi được quy định khác) trong lĩnh vực "chiếc xe năng lượng mới + cọc sạc + quang điện và lưu trữ" sẽ là khoảng 5,77 triệu miếng, với CAGR ~ 36,7%. Trong lĩnh vực phương tiện năng lượng mới, nền tảng cao áp 800V đang dần trở nên phổ biến, với tỷ lệ thâm nhập 11,17% vào năm 2025. MOSFET SiC được áp dụng cho các thành phần cốt lõi như biến tần ổ đĩa chính và bộ chuyển đổi DC-DC, có thể giảm mức tiêu thụ năng lượng của toàn bộ xe khoảng 8%-10%.

Sau đây là một bản tóm tắt của bài báo nghiên cứu:

Silicon cacbua (SiC) đã trở thành một hỗ trợ chính cho việc nâng cấp công nghệ và các cuộc cách mạng hiệu quả. Là vật liệu cốt lõi của chất bán dẫn băng rộng thế hệ thứ ba, nó được đặc trưng bởi một khoảng cách băng rộng lớn, điện trường phân hủy cao, độ dẫn nhiệt tuyệt vời và tốc độ trôi dạt bão hòa điện tử nhanh. Nó đang thâm nhập đầy đủ vào bốn ngành công nghiệp tăng trưởng cao của năng lượng mới, AI, truyền thông và AR. Các kịch bản ứng dụng của nó mở rộng từ các thiết bị điện đến vật liệu tản nhiệt, chất nền quang học và các lĩnh vực khác, với nhu cầu phát triển mạnh mẽ. Ngành công nghiệp đang bước vào giai đoạn phát triển nhanh.

Trong lĩnh vực năng lượng mới, SiC là thiết bị cốt lõi để đạt được tiết kiệm năng lượng hiệu quả. Chúng tôi hy vọng rằng đến năm 2030, nhu cầu toàn cầu về chất nền SiC (tương đương 6 inch, trừ khi được quy định khác) trong "chiếc xe năng lượng mới + cọc sạc + lưu trữ quang điện" sẽ là khoảng 5,77 triệu miếng, với CAGR ~ 36,7%. Trong lĩnh vực phương tiện năng lượng mới, nền tảng cao áp 800V đang dần phổ biến và tỷ lệ thâm nhập đã đạt 11,17% vào năm 2025. MOSFET SiC được áp dụng cho các thành phần cốt lõi như biến tần ổ đĩa chính và bộ chuyển đổi DC-DC, có thể làm giảm mức tiêu thụ năng lượng của toàn bộ xe khoảng 8%-10%. Tính toán của chúng tôi cho thấy nhu cầu toàn cầu đối với chất nền SiC trong lĩnh vực xe năng lượng mới sẽ đạt 4,32 triệu miếng vào năm 2030, và Trung Quốc sẽ cần 3,28 triệu miếng. Về cọc sạc DC điện áp cao, việc xây dựng 1 triệu cọc sạc công suất cao sẽ được hoàn thành vào năm 2027 dưới sự thúc đẩy chính sách, và SiC, với đặc tính điện trở cao áp của nó, đã trở thành chìa khóa để đáp ứng các tiêu chuẩn. Nhu cầu toàn cầu đối với chất nền SiC sẽ là 510.000 miếng vào năm 2030, và Trung Quốc sẽ cần 290.000 miếng. Trong lĩnh vực quang điện và lưu trữ, SiC sẽ cải thiện hiệu quả của bộ biến tần quang điện và bộ chuyển đổi lưu trữ năng lượng. Nhu cầu toàn cầu về chất nền SiC sẽ là 9,4 triệu miếng vào năm 2030, và Trung Quốc sẽ cần 3 triệu miếng.

Trong ngành công nghiệp AI, SiC đang phải đối mặt với cơ hội tăng trưởng kép "năng lượng + tản nhiệt". Về mặt các trung tâm dữ liệu, sự cải thiện sức mạnh máy tính đã dẫn đến sự gia tăng mật độ công suất của tủ. SiC được áp dụng cho UPS, HVDC, SST và các thiết bị điện khác.Đến năm 2030, ngành công nghiệp điện toàn cầu sẽ có nhu cầu 7,3 triệu chất nền, và Trung Quốc sẽ có nhu cầu 2 triệu chất nền.Đồng thời, SiC được sử dụng như một vật liệu tản nhiệt bao bì tiên tiến để giải quyết vấn đề tạo nhiệt cao của GPU.Đến năm 2030, nhu cầu toàn cầu về chất nền cho các lớp trung gian của chip AI là khoảng 62 triệu miếng, và nhu cầu của Trung Quốc là 17,3 triệu miếng; nếu SiC được sử dụng làm chất nền và vật liệu tản nhiệt trong con đường công nghệ hiện tại của quá trình CoWoS, không gian chất nền trong lĩnh vực tản nhiệt chip AI sẽ tăng gấp 2 lần.

Trong lĩnh vực tần số vô tuyến truyền thông, 5G-A và 6G thúc đẩy việc nâng cấp các thiết bị tần số vô tuyến, và kế hoạch GaN-on-SiC đã trở thành dòng chính với khả năng tản nhiệt tuyệt vời và hiệu suất tần số cao. Nhu cầu toàn cầu về chất nền SiC bán cách điện cho tần số vô tuyến vào năm 2030 sẽ đạt 170.000 miếng, và Trung Quốc chiếm 60%, khoảng 100.000 miếng.

Nhu cầu bề mặt kính AR toàn cầu vào năm 2030 là 3,89 triệu miếng, và nhu cầu của Trung Quốc là 1,37 triệu miếng. Trong ngành công nghiệp AR, các đặc tính chỉ số khúc xạ cao của SiC làm cho nó trở thành một chất nền lý tưởng cho các tấm dẫn sóng ánh sáng, có thể mở rộng tầm nhìn và giải quyết vấn đề mô hình cầu vồng.

Tiêu đề, thúc đẩy sự thu nhỏ và màu đầy đủ của kính AR.

Sự bùng phát toàn diện ở phía nhu cầu đã thúc đẩy sự mở rộng nhanh chóng quy mô ngành công nghiệp, và dự kiến cung và nhu cầu của chất nền SiC sẽ cân bằng chặt chẽ vào năm 2027, và thậm chí có khả năng cung cấp công suất chặt chẽ; Đến năm 2030, nhu cầu toàn cầu về chất nền sẽ đạt 167,6 triệu miếng, so với nguồn cung năm 2025, sẽ có khoảng cách công suất khoảng 120 triệu miếng. Trong số đó, lớp trung gian AI, phương tiện năng lượng mới, kính AR là ba điểm tăng trưởng cốt lõi và chúng tôi hy vọng tỷ lệ nhu cầu vào năm 2030 sẽ là 37%, 26%, 23%; trong số họ, SiC trong việc áp dụng các vật liệu tản nhiệt bao bì tiên tiến trong chip AI, nếu nó có thể đạt được công nghiệp hóa trong ba liên kết của "lớp chất nền", "lớp trung gian" và "tản nhiệt", Nhu cầu toàn cầu về chất nền SiC vào năm 2030E dự kiến sẽ đạt khoảng 300 triệu miếng.

Cảnh báo rủi ro:

1. Sự gia tăng ma sát thương mại Trung-Mỹ và nguy cơ hạn chế chuỗi cung ứng thêm; 2. Nhu cầu từ hạ lưu không như dự kiến; 3. Nghiên cứu và phát triển sản phẩm, lặp lại công nghệ và tiến bộ thị trường không như mong đợi, chẳng hạn như SiC như một vật liệu tản nhiệt cho bao bì tiên tiến, cả ba khía cạnh, cụ thể là trung gian, chất nền và tản nhiệt, vẫn đang trong giai đoạn nghiên cứu và phát triển, và tuyến đường công nghệ vẫn chưa được xác định đầy đủ, với rủi ro cao; 4. tăng cường cạnh tranh trong ngành công nghiệp.

Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc hoặc nhu cầu mua hàng, xin vui lòng liên hệ với SunSirs với support@sunsirs.com.